多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效形式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力（如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下）和温度冲击（如烙铁焊接）时电容时好时坏。多层片状陶介电容器具体不良可分为：热击失效、扭曲破裂失效、原材失效。本文中众焱电子只对扭曲破裂失效进行分析介绍，此种不良的可能性很多，按大类及表现可以分为以下两种：
一、SMT贴片加工阶段导致的破裂失效
当广州SMT贴片加工厂进行零件的取放，尤其是SMT贴片加工阶段的零件取放时，取放的定中爪因为磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力，会造成很大的压力或切断率，继而形成破裂点。
这些破裂现象一般为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。
真空检拾头导致的损坏或破裂，一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积，并带有不圆滑的边缘。此外，这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。
另一个由吸头所造成的损环，因拉力而造成的破裂，裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边，这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面，并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。
二、SMT之后生产阶段导致的破裂失效
电路板切割、测试、背面组件和连接器安装、及最后组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直，都有可能造成扭曲破裂这类的损坏。
在机械力作用下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范围受端位及焊点限制，破裂就会在陶瓷的端接界面处形成，这种破裂会从形成的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。
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